Сравнение HyperX Fury DDR3 1x8GB HX318LC11FB/8 vs Crucial Ballistix Elite DDR3 1x8GB BLE8G3D1869DE1TX0CEU
Добавить в сравнение | ||
|---|---|---|
| HyperX Fury DDR3 1x8GB HX318LC11FB/8 | Crucial Ballistix Elite DDR3 1x8GB BLE8G3D1869DE1TX0CEU | |
от 7 085 тг. | от 32 130 тг. | |
| Объем памяти | 1 x 8GB | 1 x 8GB |
| Форм-фактор памяти | DIMM (PC) | DIMM (PC) |
| Тип памяти | DDR3 | DDR3 |
Характеристики | ||
| Скорость | 1866 MT/s | 1866 MT/s |
| Пропускная способность | 14900 МБ/с | 14900 МБ/с |
| Схема таймингов | 11-11-11 | 9-9-9-27 |
| First Word Latency | 11.79 нс | 9.65 нс |
| Рабочее напряжение | 1.35 В | 1.5 В |
| Тип охлаждения | радиатор | радиатор |
| Профиль планки | стандартный 32.8 мм | стандартный |
| Дополнительно | поддержка XMP | поддержка XMP |
| Дата добавления на E-Katalog | октябрь 2015 | июнь 2014 |
Сравниваем HyperX HX318LC11FB/8 и Crucial BLE8G3D1869DE1TX0CEU HyperX Fury DDR3 1x8GB и Crucial Ballistix Elite DDR3 1x8GB?
Возможно, вас заинтересует
Мои сравнения
Crucial Ballistix Elite DDR3 1x8GB часто сравнивают
Глоссарий
Схема таймингов
Набор чисел в характеристиках оперативной памяти, который показывает задержки при выполнении основных операций модуля. Обычно она записывается в виде 16-18-18-38 или 36-38-38-80, где по порядку указываются основные тайминги памяти (CL, tRCD, tRP и tRAS), отвечающие за отклик и внутренние задержки модуля. Простыми словами, это не скорость памяти как таковая, а то, насколько быстро она откликается на команды внутри своей работы.
На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.
Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.
На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.
Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.
First Word Latency
First Word Latency показывает, за какое время ОЗУ после запроса начинает отдавать первый блок данных. Чем ниже это значение, тем быстрее память реагирует на обращение, что особенно интересно в игровых системах и производительных ПК, где важны отзывчивость и минимальные задержки.
Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.
Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.
Рабочее напряжение
Уровень питания, который нужен оперативной памяти для нормальной работы в системе. В характеристиках он чаще всего выглядит как 1.5 В, 1.35 В, 1.2 В или 1.1 В в зависимости от поколения ОЗУ.
Этот пункт особенно важен не сам по себе, а на фоне совместимости: модуль должен соответствовать требованиям материнской платы или ноутбука. Соответственно на практике от рабочего напряжения ждут не прироста скорости, а корректной работы памяти без лишнего нагрева и проблем при установке.
Этот пункт особенно важен не сам по себе, а на фоне совместимости: модуль должен соответствовать требованиям материнской платы или ноутбука. Соответственно на практике от рабочего напряжения ждут не прироста скорости, а корректной работы памяти без лишнего нагрева и проблем при установке.
