Казахстан
Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение GOODRAM IRDM DDR4 1x4Gb IR-2400D464L17S/4G vs HyperX Fury DDR4 2x4Gb HX421C14FBK2/8

Добавить в сравнение
GOODRAM IRDM DDR4 1x4Gb IR-2400D464L17S/4G
HyperX Fury DDR4 2x4Gb HX421C14FBK2/8
GOODRAM IRDM DDR4 1x4Gb IR-2400D464L17S/4GHyperX Fury DDR4 2x4Gb HX421C14FBK2/8
от 10 598 тг.
Товар устарел
от 43 260 тг.
Товар устарел
Отзывы
0
0
0
2
Объем памяти комплекта4 ГБ8 ГБ
Кол-во планок в комплекте1 шт2 шт
Форм-фактор памятиDIMMDIMM
Тип памятиDDR4DDR4
Ранг памятиодноранговаяодноранговая
Характеристики
Тактовая частота2400 МГц2133 МГц
Пропускная способность19200 МБ/с17000 МБ/с
CAS-латентностьCL17CL14
Схема таймингов памяти17-17-1714-14-14
Рабочее напряжение1.2 В1.2 В
Тип охлаждениярадиаторрадиатор
Профиль планкистандартныйстандартный
Высота планки34 мм
Дополнительно
 
 
серия для разгона (overclocking)
поддержка XMP
Цвет корпуса
Дата добавления на E-Katalogавгуст 2017март 2015

Объем памяти комплекта

Общий объем всех модулей комплекта оперативной памяти.

Зная этот параметр и количество планок в комплекте, можно оценить объем одной планки. Эта информация может пригодиться для оценки совместимости с конкретным ПК: любая материнская плата имеет ограничение на максимальный объем каждой отдельной планки.

Сейчас на рынке представлены комплекты с таким объем памяти: 4 ГБ, 8 ГБ, 16 ГБ, 24 ГБ, 32 ГБ, 64 ГБ и даже 128 ГБ. Сочетание нескольких планок позволяет продавать наборы 8 ГБ (2 планки по 4 ГБ), 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ), 16 ГБ (4 планки по 4 ГБ), 32 ГБ (2 планки по 16 ГБ), 32 ГБ (4 планки по 8 ГБ), 48 ГБ (2 планки по 24 ГБ). Комплекты на 64 ГБ представлены такими наборами: 64 ГБ (2 планки по 32 ГБ), 64 ГБ (4 планки по 16 ГБ) и 64 ГБ (8 планок по 8 ГБ). ОЗУ на 128 ГБ преимущественно состоят из 4 планок по 32 ГБ или 8 планок по 16 ГБ. А 256 ГБ и 96 ГБ (2 планки по 48 ГБ) являются не столь востребованными

Кол-во планок в комплекте

Количество отдельных планок, входящих в комплект оперативной памяти. Одна планка занимает один слот на материнской плате, поэтому для установки всего комплекта количество свободных слотов должно быть равно количеству планок или больше его.

Если планок в комплекте чётное число, для них может быть предусмотрен режим парной работы. Такой режим значительно увеличивает скорость, однако поддерживается далеко не всеми моделями материнских плат, поэтому в каждом конкретном случае этот момент стоит уточнять отдельно.

Сейчас на рынке представлены планки? поставляемые в таком количестве: одной планкой, комплект из 2 шт, комплект из 4 шт, комплект из 8 шт.

Тактовая частота

Тактовая частота модуля оперативной памяти.

Чем выше данный показатель — тем быстрее работает «оперативка», при прочих равных, тем выше ее эффективность в играх и других ресурсоемких приложениях. С другой стороны, высокая тактовая частота соответствующим образом сказывается на стоимости. Кроме того, для использования всех возможностей памяти соответствующую частоту должна поддерживать материнская плата, к которой подключен модуль.

Наиболее востребованными являются модули с частотой 3200 и 3600 МГц — так сказать универсальные рабочие лошадки. Есть также варианты скромнее — к примеру 2400, 2666, 2800, 2933, 3000 МГц. И продвинутые для серьезных задач — 3866, 4000, 4800, 5200, 5600 МГц. Также предусмотрены высокочастотные модули 6000, 6400, 6600, 6800, 7000, 7200 МГц и более.

Пропускная способность

Количество информации, которую модуль памяти может принять или передать за одну секунду. От пропускной способности напрямую зависит скорость работы памяти и, соответственно, цена на неё. В то же время это довольно специфический параметр, актуальный в основном для высокопроизводительных систем — геймерских и рабочих станций, серверов и т. п. Если же модуль RAM покупается для обычной домашней или офисной системы, на пропускную способность можно не обращать особого внимания.

CAS-латентность

Под данным термином подразумевают время (точнее, количество циклов работы памяти), которое проходит от запроса процессора на чтение данных до предоставления доступа к первой из ячеек, содержащих выбранные данные. CAS-латентность является одним из таймингов (подробнее о них см п. «Схема таймингов памяти», там этот параметр обозначен как CL) — а значит, она влияет на быстродействие: чем ниже CAS, тем быстрее работает данный модуль памяти. Правда, это справедливо лишь для одной и той же тактовой частоты (подробнее см. там же).

Сейчас на рынке представлены модули памяти с такими значениями CAS-латентности: 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 24, 30, 32, 36, 38, 40, 42, 46.

Схема таймингов памяти

Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где

CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;

Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;

Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.

Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.

Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.

Дополнительно

— Серия для разгона (overclocking). Принадлежность к подобной серии означает, что производитель изначально предусмотрел в модуле возможность разгона («оверклокинга») — то есть повышения производительности за счет изменения параметров работы, в частности, увеличения рабочего напряжения и тактовой частоты. «Разогнать» можно и обычную память, не относящуюся к оверклокерской — однако это сложно и чревато сбоями, вплоть до полного перегорания схем, тогда как в специализированных сериях разгон является документированной функцией, реализуется быстро и просто, к тому же чаще всего покрывается гарантией.

Поддержка XMP. Совместимость модуля памяти с технологией XMP. Данная технология, созданная компанией Intel, применяется для разгона (см. соответствующий пункт). Ее ключевой принцип заключается в том, что в модуле памяти записаны определенные профили разгона — наборы настроек, проверенные на стабильность работы; и вместо того, чтобы вручную выставлять отдельные параметры, пользователю достаточно выбрать один из профилей. Это упрощает настройку системы и в то же время повышает ее надежность при разгоне. Однако стоит учитывать, что для использования XMP ее должна поддерживать не только память, но и материнская плата.

— Поддержка AMP. Совместимость модуля памяти с технологией AMP. По основным особенностям данная технология полностью аналогична описанной выше XMP и о...тличается лишь создателем — в данном случае это компания AMD.

Поддержка EXPO. Совместимость модуля памяти с технологией EXPO (Extended Profiles for Overclocking). Ее создали в компании AMD спецом для разгона планок DDR5 в составе систем Ryzen 7000. По своей сути, это заводской набор профилей оперативной памяти, который упрощает разгон «оперативки». Использование технологии позволяет повысить производительность в играх примерно на 11 % при разрешении транслируемого изображения Full HD.

Поддержка буферизации (Registered). Наличие у модуля памяти т.н. буфера — раздела для быстрого сохранения поступивших данных — между контроллером памяти (управляющим устройством) и собственно чипами (запоминающими устройствами). Такая схема снижает нагрузку на контроллер, за счёт чего достигается более высокая надёжность; с другой стороны, буферизованные модули имеют слегка пониженное быстродействие вследствие задержки при передаче информации через буфер. Буферизованная память применяется в основном в серверных системах и отличается высокой стоимостью. При выборе памяти стоит учитывать, что в одной системе может использоваться либо только буферизованная, либо только небуферизованная память; совместить эти два типа памяти невозможно.

Поддержка ECC. ECC (Error Checking and Correction) — технология, позволяющая исправлять мелкие ошибки, возникающие в процессе работы с данными. Для использования ECC необходимо, чтобы она поддерживалась не только модулем памяти, но и материнской платой; в основном такая поддержка применяется в серверах, однако встречается и в «материнках» для обычных десктопов.
GOODRAM IRDM DDR4 1x4Gb часто сравнивают
HyperX Fury DDR4 2x4Gb часто сравнивают