Объем памяти комплекта
Общий объем всех модулей комплекта оперативной памяти.
Зная этот параметр и количество планок в комплекте, можно оценить объем одной планки. Эта информация может пригодиться для оценки совместимости с конкретным ПК: любая материнская плата имеет ограничение на максимальный объем каждой отдельной планки.
Сейчас на рынке представлены комплекты с таким объем памяти:
4 ГБ,
8 ГБ,
16 ГБ,
24 ГБ,
32 ГБ,
64 ГБ и даже
128 ГБ. Сочетание нескольких планок позволяет продавать наборы
8 ГБ (2 планки по 4 ГБ),
16 ГБ (2 планки по 8 ГБ),
16 ГБ (4 планки по 4 ГБ),
32 ГБ (2 планки по 16 ГБ),
32 ГБ (4 планки по 8 ГБ),
48 ГБ (2 планки по 24 ГБ). Комплекты на 64 ГБ представлены такими наборами:
64 ГБ (2 планки по 32 ГБ),
64 ГБ (4 планки по 16 ГБ) и
64 ГБ (8 планок по 8 ГБ). ОЗУ на 128 ГБ преимущественно состоят из
4 планок по 32 ГБ или
8 планок по 16 ГБ. А
256 ГБ и
96 ГБ (2 планки по 48 ГБ) являются не столь востребованными
Кол-во планок в комплекте
Количество отдельных планок, входящих в комплект оперативной памяти. Одна планка занимает один слот на материнской плате, поэтому для установки всего комплекта количество свободных слотов должно быть равно количеству планок или больше его.
Если планок в комплекте чётное число, для них может быть предусмотрен режим парной работы. Такой режим значительно увеличивает скорость, однако поддерживается далеко не всеми моделями материнских плат, поэтому в каждом конкретном случае этот момент стоит уточнять отдельно.
Сейчас на рынке представлены планки? поставляемые в таком количестве:
одной планкой,
комплект из 2 шт,
комплект из 4 шт,
комплект из 8 шт.
Ранг памяти
Количество рангов, предусмотренное в планке памяти.
Рангом в данном случае называют один логический модуль — набор микросхем с общей разрядностью в 64 бита. Если рангов больше одного — это значит, что на одном физическом модуле реализовано несколько логических, а канал передачи данных они используют попеременно. Подобная конструкция используется для того, чтобы добиться больших объемов RAM при ограниченном количестве слотов под отдельные планки. При этом стоит сказать, что для бытовых компьютеров на ранг памяти можно не обращать особого внимания — точнее, для них вполне достаточно
одноранговых модулей. А вот для серверов и мощных рабочих станций выпускаются
двух-,
четырех- и даже восьмиранговые решения.
Отметим, что при прочих равных большее число рангов позволяет добиться больших объемов, однако требует большей вычислительной мощности и повышает нагрузку на систему.
CAS-латентность
Под данным термином подразумевают время (точнее, количество циклов работы памяти), которое проходит от запроса процессора на чтение данных до предоставления доступа к первой из ячеек, содержащих выбранные данные. CAS-латентность является одним из таймингов (подробнее о них см п. «Схема таймингов памяти», там этот параметр обозначен как CL) — а значит, она влияет на быстродействие: чем ниже CAS, тем быстрее работает данный модуль памяти. Правда, это справедливо лишь для одной и той же тактовой частоты (подробнее см. там же).
Сейчас на рынке представлены модули памяти с такими значениями CAS-латентности:
9,
10,
11,
12,
13,
14,
15,
16,
17,
18,
19,
20,
21,
22,
24,
30,
32,
36,
38,
40,
42,
46.
Схема таймингов памяти
Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где
CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;
Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;
Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.
Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.
Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.
Дополнительно
— Серия
для разгона (overclocking). Принадлежность к подобной серии означает, что производитель изначально предусмотрел в модуле возможность разгона («оверклокинга») — то есть повышения производительности за счет изменения параметров работы, в частности, увеличения рабочего напряжения и тактовой частоты. «Разогнать» можно и обычную память, не относящуюся к оверклокерской — однако это сложно и чревато сбоями, вплоть до полного перегорания схем, тогда как в специализированных сериях разгон является документированной функцией, реализуется быстро и просто, к тому же чаще всего покрывается гарантией.
—
Поддержка XMP. Совместимость модуля памяти с технологией XMP. Данная технология, созданная компанией Intel, применяется для разгона (см. соответствующий пункт). Ее ключевой принцип заключается в том, что в модуле памяти записаны определенные профили разгона — наборы настроек, проверенные на стабильность работы; и вместо того, чтобы вручную выставлять отдельные параметры, пользователю достаточно выбрать один из профилей. Это упрощает настройку системы и в то же время повышает ее надежность при разгоне. Однако стоит учитывать, что для использования XMP ее должна поддерживать не только память, но и материнская плата.
— Поддержка AMP. Совместимость модуля памяти с технологией AMP. По основным особенностям данная технология полностью аналогична описанной выше
XMP и о
...тличается лишь создателем — в данном случае это компания AMD.
— Поддержка EXPO. Совместимость модуля памяти с технологией EXPO (Extended Profiles for Overclocking). Ее создали в компании AMD спецом для разгона планок DDR5 в составе систем Ryzen 7000. По своей сути, это заводской набор профилей оперативной памяти, который упрощает разгон «оперативки». Использование технологии позволяет повысить производительность в играх примерно на 11 % при разрешении транслируемого изображения Full HD.
— Поддержка буферизации (Registered). Наличие у модуля памяти т.н. буфера — раздела для быстрого сохранения поступивших данных — между контроллером памяти (управляющим устройством) и собственно чипами (запоминающими устройствами). Такая схема снижает нагрузку на контроллер, за счёт чего достигается более высокая надёжность; с другой стороны, буферизованные модули имеют слегка пониженное быстродействие вследствие задержки при передаче информации через буфер. Буферизованная память применяется в основном в серверных системах и отличается высокой стоимостью.
При выборе памяти стоит учитывать, что в одной системе может использоваться либо только буферизованная, либо только небуферизованная память; совместить эти два типа памяти невозможно.
— Поддержка ECC. ECC (Error Checking and Correction) — технология, позволяющая исправлять мелкие ошибки, возникающие в процессе работы с данными. Для использования ECC необходимо, чтобы она поддерживалась не только модулем памяти, но и материнской платой; в основном такая поддержка применяется в серверах, однако встречается и в «материнках» для обычных десктопов.
