Сравнение HyperX Fury DDR4 2x8GB HX421C14FB2K2/16 vs Corsair Vengeance LPX DDR4 2x8GB CMK16GX4M2A2133C13
Добавить в сравнение | ![]() | |
|---|---|---|
| HyperX Fury DDR4 2x8GB HX421C14FB2K2/16 | Corsair Vengeance LPX DDR4 2x8GB CMK16GX4M2A2133C13 | |
от 70 695 тг. | от 10 625 тг. | |
| Объем памяти | 2 x 8GB | 2 x 8GB |
| Форм-фактор памяти | DIMM (PC) | DIMM (PC) |
| Тип памяти | DDR4 | DDR4 |
| Ранг памяти | одноранговая | |
Характеристики | ||
| Скорость | 2133 MT/s | 2133 MT/s |
| Пропускная способность | 17000 МБ/с | 17000 МБ/с |
| Схема таймингов | 14-14-14 | 13-15-15-28 |
| First Word Latency | 13.13 нс | 12.19 нс |
| Рабочее напряжение | 1.2 В | 1.2 В |
| Тип охлаждения | радиатор | радиатор |
| Профиль планки | стандартный 34 мм | стандартный 33 мм |
| Дополнительно | поддержка XMP | поддержка XMP |
| Цвет корпуса | ||
| Дата добавления на E-Katalog | апрель 2016 | декабрь 2015 |
Сравниваем HyperX HX421C14FB2K2/16 и Corsair CMK16GX4M2A2133C13 HyperX Fury DDR4 2x8GB и Corsair Vengeance LPX DDR4 2x8GB?
Возможно, вас заинтересует
HyperX Fury DDR4 2x8GB часто сравнивают
Глоссарий
Ранг памяти
Этот пункт показывает, как организованы чипы внутри модуля ОЗУ и сколько у него внутренних групп данных, с которыми работает система. Чаще всего встречаются варианты 1R и 2R, то есть одноранговая и двухранговая память. При этом 2R не означает, что модуль лучше во всем: иногда такой вариант может дать небольшой плюс, но на практике все зависит от платформы, процессора и общей конфигурации.
Память разного ранга нередко может работать вместе, однако самым беспроблемным вариантом обычно остается установка одинаковых планок. От ранга памяти обычно ждут не резкого прироста скорости, а понимания совместимости и особенностей конкретного модуля.
Память разного ранга нередко может работать вместе, однако самым беспроблемным вариантом обычно остается установка одинаковых планок. От ранга памяти обычно ждут не резкого прироста скорости, а понимания совместимости и особенностей конкретного модуля.
Схема таймингов
Набор чисел в характеристиках оперативной памяти, который показывает задержки при выполнении основных операций модуля. Обычно она записывается в виде 16-18-18-38 или 36-38-38-80, где по порядку указываются основные тайминги памяти (CL, tRCD, tRP и tRAS), отвечающие за отклик и внутренние задержки модуля. Простыми словами, это не скорость памяти как таковая, а то, насколько быстро она откликается на команды внутри своей работы.
На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.
Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.
На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.
Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.
First Word Latency
First Word Latency показывает, за какое время ОЗУ после запроса начинает отдавать первый блок данных. Чем ниже это значение, тем быстрее память реагирует на обращение, что особенно интересно в игровых системах и производительных ПК, где важны отзывчивость и минимальные задержки.
Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.
Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.
