Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Crucial Ballistix Sport LT DDR4 1x4GB BLS4G4D26BFSC vs Crucial Ballistix Tactical DDR4 1x4GB BLT4G4D26AFTA

Добавить в сравнение
Crucial Ballistix Sport LT DDR4 1x4GB BLS4G4D26BFSC
Crucial Ballistix Tactical DDR4 1x4GB BLT4G4D26AFTA
Crucial Ballistix Sport LT DDR4 1x4GB BLS4G4D26BFSCCrucial Ballistix Tactical DDR4 1x4GB BLT4G4D26AFTA
от 27 000 тг.
Товар устарел
от 48 000 тг.
Товар устарел
Объем памяти1 x 4GB1 x 4GB
Форм-фактор памятиDIMM (PC)DIMM (PC)
Тип памятиDDR4DDR4
Ранг памятидвухранговаяодноранговая
Характеристики
Скорость2666 MT/s2666 MT/s
Пропускная способность21300 МБ/с21300 МБ/с
Схема таймингов16-18-1816-16-16
First Word Latency12 нс12 нс
Рабочее напряжение1.2 В1.2 В
Тип охлаждениярадиаторрадиатор
Профиль планки
стандартный
33 мм
стандартный
35.6 мм
Дополнительно
поддержка XMP
поддержка XMP
Цвет корпуса
Дата добавления на E-Katalogянварь 2018апрель 2016
Сравниваем Crucial Ballistix Sport LT DDR4 1x4GB и Ballistix Tactical DDR4 1x4GB
Crucial Ballistix Sport LT DDR4 1x4GB часто сравнивают
Crucial Ballistix Tactical DDR4 1x4GB часто сравнивают
Глоссарий

Ранг памяти

Этот пункт показывает, как организованы чипы внутри модуля ОЗУ и сколько у него внутренних групп данных, с которыми работает система. Чаще всего встречаются варианты 1R и 2R, то есть одноранговая и двухранговая память. При этом 2R не означает, что модуль лучше во всем: иногда такой вариант может дать небольшой плюс, но на практике все зависит от платформы, процессора и общей конфигурации.

Память разного ранга нередко может работать вместе, однако самым беспроблемным вариантом обычно остается установка одинаковых планок. От ранга памяти обычно ждут не резкого прироста скорости, а понимания совместимости и особенностей конкретного модуля.

Схема таймингов

Набор чисел в характеристиках оперативной памяти, который показывает задержки при выполнении основных операций модуля. Обычно она записывается в виде 16-18-18-38 или 36-38-38-80, где по порядку указываются основные тайминги памяти (CL, tRCD, tRP и tRAS), отвечающие за отклик и внутренние задержки модуля. Простыми словами, это не скорость памяти как таковая, а то, насколько быстро она откликается на команды внутри своей работы.

На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.

Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.