Сравнение AGI DDR5 SO-DIMM 1x16GB AGI560016SD238-ST vs Samsung M425 SO-DIMM DDR5 1x16GB M425R2GA3BB0-CWM
Добавить в сравнение | ![]() | ![]() |
|---|---|---|
| AGI DDR5 SO-DIMM 1x16GB AGI560016SD238-ST | Samsung M425 SO-DIMM DDR5 1x16GB M425R2GA3BB0-CWM | |
| Сравнить цены 1 | от 57 092 тг. | |
| ТОП продавцы | ||
| Объем памяти | 1 x 16GB | 1 x 16GB |
| Форм-фактор памяти | SO-DIMM (laptops) | SO-DIMM (laptops) |
| Тип памяти | DDR5 | DDR5 |
| Ранг памяти | одноранговая | |
Характеристики | ||
| Скорость | 5600 MT/s | 5600 MT/s |
| Пропускная способность | 44800 МБ/с | 44800 МБ/с |
| First Word Latency | 14.29 нс | 16.43 нс |
| Рабочее напряжение | 1.1 В | 1.1 В |
| Тип охлаждения | без охлаждения | без охлаждения |
| Профиль планки | стандартный | стандартный |
| Дата добавления на E-Katalog | сентябрь 2025 | июль 2024 |
Сравниваем AGI AGI560016SD238-ST и Samsung M425R2GA3BB0-CWM AGI DDR5 SO-DIMM 1x16GB и Samsung M425 SO-DIMM DDR5 1x16GB?
Возможно, вас заинтересует
Мои сравнения
Samsung M425 SO-DIMM DDR5 1x16GB часто сравнивают
Глоссарий
Ранг памяти
Этот пункт показывает, как организованы чипы внутри модуля ОЗУ и сколько у него внутренних групп данных, с которыми работает система. Чаще всего встречаются варианты 1R и 2R, то есть одноранговая и двухранговая память. При этом 2R не означает, что модуль лучше во всем: иногда такой вариант может дать небольшой плюс, но на практике все зависит от платформы, процессора и общей конфигурации.
Память разного ранга нередко может работать вместе, однако самым беспроблемным вариантом обычно остается установка одинаковых планок. От ранга памяти обычно ждут не резкого прироста скорости, а понимания совместимости и особенностей конкретного модуля.
Память разного ранга нередко может работать вместе, однако самым беспроблемным вариантом обычно остается установка одинаковых планок. От ранга памяти обычно ждут не резкого прироста скорости, а понимания совместимости и особенностей конкретного модуля.
First Word Latency
First Word Latency показывает, за какое время ОЗУ после запроса начинает отдавать первый блок данных. Чем ниже это значение, тем быстрее память реагирует на обращение, что особенно интересно в игровых системах и производительных ПК, где важны отзывчивость и минимальные задержки.
Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.
Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.



