Сравнение Hynix HMA SO-DIMM DDR4 1x16GB HMA82GS6AFR8N-VK vs Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16GB M471A2K43DB1-CTD
Добавить в сравнение |  |  |
|---|---|---|
| Hynix HMA SO-DIMM DDR4 1x16GB HMA82GS6AFR8N-VK | Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16GB M471A2K43DB1-CTD | |
от 32 593 тг. | от 33 996 тг. | |
| Объем памяти | 1 x 16GB | 1 x 16GB |
| Форм-фактор памяти | SO-DIMM (laptops) | SO-DIMM (laptops) |
| Тип памяти | DDR4 | DDR4 |
Характеристики | ||
| Скорость | 2666 MT/s | 2666 MT/s |
| Пропускная способность | 21300 МБ/с | 21300 МБ/с |
| Схема таймингов | 19-19-19 | |
| First Word Latency | 14.25 нс | 14.25 нс |
| Рабочее напряжение | 1.2 В | 1.2 В |
| Тип охлаждения | без охлаждения | без охлаждения |
| Профиль планки | стандартный | стандартный |
| Дата добавления на E-Katalog | февраль 2025 | март 2021 |
Сравниваем Hynix HMA82GS6AFR8N-VK и Samsung M471A2K43DB1-CTD Hynix HMA SO-DIMM DDR4 1x16GB и Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16GB?
Возможно, вас заинтересует
Мои сравнения
Hynix HMA SO-DIMM DDR4 1x16GB часто сравнивают
Samsung M471 DDR4 SO-DIMM 1x16GB часто сравнивают
Глоссарий
Схема таймингов
Набор чисел в характеристиках оперативной памяти, который показывает задержки при выполнении основных операций модуля. Обычно она записывается в виде 16-18-18-38 или 36-38-38-80, где по порядку указываются основные тайминги памяти (CL, tRCD, tRP и tRAS), отвечающие за отклик и внутренние задержки модуля. Простыми словами, это не скорость памяти как таковая, а то, насколько быстро она откликается на команды внутри своей работы.
На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.
Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.
На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.
Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.