Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Lexar THOR Gaming DDR4 2x16GB LD4BU016G-R3200GDXG vs Corsair Vengeance LPX DDR4 2x16GB CMK32GX4M2E3200C16

Добавить в сравнение
Lexar THOR Gaming DDR4 2x16GB LD4BU016G-R3200GDXG
Corsair Vengeance LPX DDR4 2x16GB CMK32GX4M2E3200C16
Lexar THOR Gaming DDR4 2x16GB LD4BU016G-R3200GDXGCorsair Vengeance LPX DDR4 2x16GB CMK32GX4M2E3200C16
от 125 957 тг.
Ожидается в продаже
Сравнить цены 4
ТОП продавцы
нет в продаже
Объем памяти2 х 16GB2 х 16GB
Форм-фактор памятиDIMM (PC)DIMM (PC)
Тип памятиDDR4DDR4
Ранг памятидвухранговая
Характеристики
Скорость3200 MT/s3200 MT/s
Пропускная способность25600 МБ/с25600 МБ/с
Схема таймингов16-18-18-3816-20-20-38
First Word Latency10 нс10 нс
Рабочее напряжение1.35 В1.35 В
Тип охлаждениярадиаторрадиатор
Профиль планки
стандартный
35.2 мм
стандартный
33 мм
Дополнительно
поддержка XMP
поддержка XMP
Цвет корпуса
Дата добавления на E-Katalogмарт 2023апрель 2021
Сравниваем Lexar LD4BU016G-R3200GDXG и Corsair CMK32GX4M2E3200C16 Lexar THOR Gaming DDR4 2x16GB и Corsair Vengeance LPX DDR4 2x16GB?
Corsair Vengeance LPX DDR4 2x16GB часто сравнивают
Глоссарий

Ранг памяти

Этот пункт показывает, как организованы чипы внутри модуля ОЗУ и сколько у него внутренних групп данных, с которыми работает система. Чаще всего встречаются варианты 1R и 2R, то есть одноранговая и двухранговая память. При этом 2R не означает, что модуль лучше во всем: иногда такой вариант может дать небольшой плюс, но на практике все зависит от платформы, процессора и общей конфигурации.

Память разного ранга нередко может работать вместе, однако самым беспроблемным вариантом обычно остается установка одинаковых планок. От ранга памяти обычно ждут не резкого прироста скорости, а понимания совместимости и особенностей конкретного модуля.

Схема таймингов

Набор чисел в характеристиках оперативной памяти, который показывает задержки при выполнении основных операций модуля. Обычно она записывается в виде 16-18-18-38 или 36-38-38-80, где по порядку указываются основные тайминги памяти (CL, tRCD, tRP и tRAS), отвечающие за отклик и внутренние задержки модуля. Простыми словами, это не скорость памяти как таковая, а то, насколько быстро она откликается на команды внутри своей работы.

На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.

Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.