Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Apacer NOX DDR4 2x8GB AH4U16G36C25YMBAA-2 vs Kingston Fury Renegade DDR4 2x8GB KF436C16RBK2/16

Добавить в сравнение
Apacer NOX DDR4 2x8GB AH4U16G36C25YMBAA-2
Kingston Fury Renegade DDR4 2x8GB KF436C16RBK2/16
Apacer NOX DDR4 2x8GB AH4U16G36C25YMBAA-2Kingston Fury Renegade DDR4 2x8GB KF436C16RBK2/16
от 41 002 тг.
Товар устарел
от 29 174 тг.
Товар устарел
Тактовая частота 3600 МГц. Эффективное охлаждение.
Объем памяти2 x 8GB2 x 8GB
Форм-фактор памятиDIMM (PC)DIMM (PC)
Тип памятиDDR4DDR4
Ранг памятиодноранговая
Характеристики
Скорость3600 MT/s3600 MT/s
Пропускная способность28800 МБ/с28800 МБ/с
Схема таймингов18-22-2216-20-20
First Word Latency8.89 нс8.89 нс
Рабочее напряжение1.35 В1.35 В
Тип охлаждениярадиаторрадиатор
Профиль планки
стандартный
стандартный
42.2 мм
Дополнительно
поддержка XMP
поддержка XMP
Цвет корпуса
Дата добавления на E-Katalogиюнь 2023июль 2021
Сравниваем Apacer AH4U16G36C25YMBAA-2 и Kingston Fury KF436C16RBK2/16 Apacer NOX DDR4 2x8GB и Kingston Fury Renegade DDR4 2x8GB?
Kingston Fury Renegade DDR4 2x8GB часто сравнивают
Глоссарий

Ранг памяти

Этот пункт показывает, как организованы чипы внутри модуля ОЗУ и сколько у него внутренних групп данных, с которыми работает система. Чаще всего встречаются варианты 1R и 2R, то есть одноранговая и двухранговая память. При этом 2R не означает, что модуль лучше во всем: иногда такой вариант может дать небольшой плюс, но на практике все зависит от платформы, процессора и общей конфигурации.

Память разного ранга нередко может работать вместе, однако самым беспроблемным вариантом обычно остается установка одинаковых планок. От ранга памяти обычно ждут не резкого прироста скорости, а понимания совместимости и особенностей конкретного модуля.

Схема таймингов

Набор чисел в характеристиках оперативной памяти, который показывает задержки при выполнении основных операций модуля. Обычно она записывается в виде 16-18-18-38 или 36-38-38-80, где по порядку указываются основные тайминги памяти (CL, tRCD, tRP и tRAS), отвечающие за отклик и внутренние задержки модуля. Простыми словами, это не скорость памяти как таковая, а то, насколько быстро она откликается на команды внутри своей работы.

На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.

Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.