Сравнение Doogee S100 256 ГБ / 12 ГБ vs Doogee V30 256 ГБ / 8 ГБ

Соотношение между площадью экрана и общей площадью передней панели телефона. Проще говоря, данная характеристика описывает, какая часть передней панели занята экраном; остальное приходится на рамку.

Данный показатель приводится исключительно для смартфонов с сенсорными экранами — именно для них он наиболее актуален. Чем больший процент корпуса занимает экран — тем тоньше рамка, тем аккуратнее выглядит смартфон и тем удобнее работать с ним одной рукой. Что касается конкретных цифр, то средними значениями являются 80 – 85 %, значения выше позволяют говорить о тонкой рамке, а более 9 0% — о «безрамочной» конструкции.

Отдельно отметим, что данный параметр никак не связан с соотношением сторон экрана. Соотношение сторон описывает только сам дисплей — а именно его пропорции, соотношение между большей и меньшей стороной прямоугольника.

Наибольшей популярностью в наше время пользуются чипы от Qualcomm и MediaTek, немного реже встречаются процессоры от Unisoc. В Qualcomm можно выделить по несколько процессоров каждой серии, а именно Snapdragon 778G, Snapdragon 7 Gen 1, Snapdragon 7+ Gen 2, Snapdragon 7s Gen 2, Snapdragon 7 Gen 3, Snapdragon 7+ Gen 3, Snapdragon 865, Snapdragon 870, Snapdragon 888, Snapdragon 8 Gen 1, Snapdragon 8+ Gen 1, Snapdragon 8 Gen 2, Snapdragon 8 Gen 3, Snapdragon 8s Gen 3. А у Mediatek это бюджетная серия MediaTek Helio P и линейка продвинутых чипсетов MediaTek Dimensity (Dimensity 1000, Dimensity 7000, Dimensity 8000, Dimensity 9000).

Зная название модели процессора (CPU), установленного в смартфоне, можно...найти подробные данные по конкретному CPU и оценить его уровень и общие возможности. Это особенно актуально в свете того, что эти возможности зависят не только от числа ядер и тактовой частоты, но и от специфических нюансов конструкции.

Тактовая частота процессора, которым оснащен аппарат. Для многоядерных процессоров, которые стандартно используются в современных смартфонах, подразумевается частота каждого отдельного ядра; а если процессор имеет ядра с разной частотой (см. «Кол-во ядер») — как правило, приводится максимальный показатель.

В целом для мощных производительных смартфонов характерна высокая частота процессора. Однако стоит учитывать, что сам по себе этот параметр не связан напрямую с возможностями CPU: на фактическую мощность чипа влияет множество других его особенностей, и нередко бюджетное решение с высокой тактовой частотой оказывается менее производительным, чем дорогой и при этом, казалось бы, более «медленный» процессор. Кроме того, общая производительность системы напрямую зависит от целого набора других факторов — прежде всего объема оперативной памяти. Поэтому при оценке смартфона стоит ориентироваться не столько на частоту процессора, сколько на общие характеристики системы и наглядные показатели вроде результатов в тестах (см. ниже).

Сквозной рейтинг процессоров (вне зависимости от производителя чипсета) для смартфонов на базе Android. Основывается он на комплексе максимальных показателей быстродействия самого процессора, шины памяти, графического ядра и т.п. Оценка процессора может оказаться полезной для обеспечения возможности сравнения и удобного подбора аналогичных моделей.

Модель графического процессора, используемого в мобильном телефоне.

Этот модуль отвечает за все задачи, связанные с графикой; соответственно, его характеристики напрямую влияют на эффективность обработки той или иной картинки. Особенно это заметно на примере «тяжелого» контента, такого как современные 3D-игры. Поэтому наличие мощного видеоадаптера особенно важно для игровых смартфонов. А зная модель графического процессора, можно найти подробные данные о нем и оценить его возможности.

Параметр определяет общее быстродействие смартфона: чем больше объем ОЗУ — тем быстрее работает устройство и тем лучше оно справляется с обилием задач и/или ресурсоемкими приложениями (при прочих равных). Это еще более верно в свете того, что большие объемы «оперативки» обычно сочетаются с мощными продвинутыми процессорами. Однако напрямую сравнивать между собой можно только аппараты с идентичными операционными системами, а в случае Android — с одинаковыми версиями и редакциями этой ОС (подробнее обо всем этом см. «Операционная система»). Связано это с тем, что разные ОС и даже разные версии одной ОС могут заметно различаться по требованиям к объему RAM. К примеру, iOS, благодаря неплохой оптимизации под конкретные устройства, способна эффективно работать с 3 ГБ оперативной памяти. Для современных версий Android в обычной редакции (не Go Edition) упомянутые 3 ГБ фактически являются необходимым минимумом. Под такую ОС лучше иметь хотя бы 4 ГБ или 6 ГБ RAM. В высококлассных аппаратах с мощной электронной «начинкой» можно встретить и более впечатляющие цифры — 8 ГБ или даже 12 ГБ и более.

Тип оперативной памяти (ОЗУ, RAM), установленной в смартфоне.

Все современные аппараты используют «оперативку» формата LPDDR (LPDDR4, LPDDR4x, LPDDR5, LPDDR5x, LPDDR5T). От обычной компьютерной RAM, помимо миниатюрных размеров, она отличается поддержкой особых форматов передачи данных (16- и 32-битных шин памяти). А вот версии такой памяти могут быть разными:

— LPDDR3. Наиболее раннее поколение LPDDR из актуальных — представлено в 2012 году, реализовывается в устройствах с 2013 года. Стандартно работает на скоростях до 1600 MT/s (мегатранзакций в секунду) и частоте до 933 МГц; «улучшенная» (enhanced) версия поддерживает скорости до 2133 MT/s. В наше время этот стандарт встречается редко, в основном среди устаревших мобильных устройств.

— LPDDR4. Наследник LPDDR3, официально представленный в августе 2014 года (хотя первые разработки «в железе» были выпущены еще в конце 2013). Скорость работы, по сравнению с предшественником, увеличилась вдвое — до 3200 MT/s; частота выросла до 1600 МГц; а энергопотребление при этом снизилось на 40 %. Кроме того, поменялся формат передачи данных — в частности, вместо одной 32-битной шины используется две 16-битных, также в стандарт были внедрены некоторые улучшения безопасности. Эту память можно встретить в некоторых смартфонах медиум-звена. —...LPDDR4x. Усовершенствованная версия LPDDR4 со сниженным энергопотреблением — стандарт использует напряжение 0.6 В вместо 1.1 В. Кроме того, в этом типе RAM были реализованы некоторые улучшения, направленные на увеличение скорости (она достигает 4266 MT/s) и общую оптимизацию работы — к примеру, появился одноканальный режим для нетребовательных приложений. Благодаря подобным характеристикам данная версия памяти получила заметно большее распространение, нежели оригинальная LPDDR4. Встретить ее можно в устройствах среднего и топового уровня.

— LPDDR5. Дальнейшее развитие «мобильной» оперативной памяти, официально анонсированное в начале 2019 года. Скорость работы в этой версии увеличена до 6400 MT/s, для улучшения стойкости к помехам и ошибкам был внедрен дифференциальный формат сигнала, а для снижения энергопотребления — динамическое управление частотой и напряжением. Использование таких модулей памяти характерно преимущественно для высококлассных смартфонов.

— LPDDR5x. Более энергоэффективная и быстрая версия оперативной памяти LPDDR5. Скорость передачи данных в ней нарастили до 8533 MT/s, а показатель пиковой пропускной способности — до 8.5 Гбит/с. Количество банков памяти на канал в LPDDR5x всегда равно 16. Оперативная память этого стандарта характерна для продвинутых смартфонов самого высокого сорта.

— LPDDR5T. T — значит «турбо». Скорость работы «оперативки» стандарта LPDDR5T нарастили до 9600 MT/s, а устройства с такими модулями памяти примерно на 13 % быстрее сравнительно с LPDDR5X. Работает память в диапазоне низких напряжений от 1.01 до 1.12 В. Соответствующие модули нацелены на использование в топовых мобильных устройствах.

От спецификации зависит в первую очередь скорость работы памяти, и, соответственно, быстродействие аппарата в целом (особенно при работе с большими объемами данных или ресурсоемкими приложениями). В наше время встречается две базовых спецификации — eMMC (embedded Multimedia Memory Card) и UFS (Universal Flash Storage); каждая из них имеет несколько версий. В целом наиболее быстрыми и продвинутыми на сегодня являются накопители с UFS 3.1 и UFS 4.0, однако они и стоят соответственно, а потому применяются в основном в смартфонах премиум-класса. А более детальное описание этих стандартов выглядит так:

— eMMC. Один из наиболее простых и доступных стандартов твердотельной памяти — к примеру, именно эту спецификацию использует большинство флешек. В смартфонах и других портативных гаджетах этот стандарт был общепринятым до 2016 года, когда началось внедрение UFS; однако и сейчас он встречается нередко — в основном благодаря невысокой стоимости и низкому энергопотреблению. Скорости у eMMC заметно ниже, чем у UFS. Так, в актуальной версии eMMC 5.1A (2019 год) скорость чтения составляет до 400 МБ/с, а более ранняя и распространенная версия eMMC 5.1 предусматривает до 250 МБ/с в режиме чтения, до 125 МБ/с в режиме последовательной записи и всего лишь до 7.16 МБ/с при случайной записи (проще говоря, в режиме работы с приложениями).

— UFS. Стандарт твердотельных накопителей, созданный как более быстры...й и совершенный наследник eMMC. Помимо увеличенных скоростей обмена данными, в UFS был изменен еще и формат работы — он полностью дуплексный, то есть чтение и запись могут осуществляться одновременно (тогда как в eMMC эти процессы выполнялись по очереди). Также была значительно повышена эффективность в режиме случайного чтения и записи, что положительно сказалось на качестве работы с приложениями. Конкретные же скорости обмена данными и особенности работы зависят от версии UFS, в наше время на рынке можно встретить такие варианты:

• 2.0. Наиболее ранняя из версий, встречающихся в современных смартфонах; была выпущена еще в 2013 году. Обеспечивает скорость передачи данных до 600 МБ/с на одну линию и до 1,2 ГБ/с на две линии, максимально доступные в этой версии. Те же показатели имеет более новая версия 2.1, однако она дополнена рядом важных нововведений. Поэтому память UFS 2.0 в мобильных телефонах используется очень редко.
• 2.1. Первая из версий, получивших широкое распространение в смартфонах; была выпущена в 2016 году. По показателям скорости не отличается от описанной выше версии 2.0, а основные отличия заключаются в некоторых усовершенствованиях. В частности, в UFS 2.1 были внедрены индикатор состояния («здоровья») накопителя, возможность удаленного обновления прошивки, а также ряд решений, направленных на повышение общей надежности.
• 2.2. Развитие стандарта UFS 2.x, представленное летом 2020 года. Ключевым улучшением является внедрение функции WriteBooster (изначально появившейся в UFS 3.1); эта функция позволяет значительно увеличить скорость записи и, соответственно, общую производительность в задачах вроде запуска приложений.
• 3.0. Версия, выпущенная в 2018 и реализованная «в железе» годом позже. Пропускная способность была увеличена до 2,9 ГБ/с на две линии (1,45 ГБ/с на одну), были внедрены новые версии электронного протокола M-PHY (физический уровень) и основанного на нем UniPro, повышена надежность работы с данными и расширен температурный режим работы контроллеров (в теории он может составлять от -40 °С до 105 °С). Применяется UFS 3.0 в основном в довольно продвинутых смартфонах, хотя в дальнейшем можно ожидать распространения этой спецификации и на более скромные модели.
• 3.1. Наследник стандарта UFS 3.0, официально представленный в начале 2020 года. Позиционируется как спецификация, созданная специально для мобильных устройств высокой производительности и направленная на увеличение скорости работы при максимальном снижении энергопотребления. Для этого в UFS 3.1 реализован ряд нововведений: энергонезависимый кэш Write Booster для ускорения записи; специальный режим энергосбережения DeepSleep для относительно простых и недорогих систем; а также функция Performance Throttling Notification, позволяющая накопителю подавать на управляющую систему сигналы о перегреве. Кроме того, в данном стандарте может дополнительно предусматриваться поддержка расширения HPB, повышающего скорость чтения.
• 4.0. В версии UFS 4.0 вдвое увеличили пропускную способность на полосу (23.2 Гбит/с на линию) и примерно на 46 % улучшили показатели энергоэффективности (сравнительно с предшествующей спецификацией 3.1). Модули памяти стандарта UFS 4.0 обеспечивают максимальную скорость чтения до 4200 МБ/с, записи — до 2800 МБ/с. Высокая пропускная способность делает стандарт памяти идеально подходящим для 5G-смартфонов.

Результаты тестов указываются или младшей модели в линейке или конкретной модели, сделано это для большего понимания производительности моделей телефонов если вы сравниваете телефоны по этим параметрам. Например в модели 128 ГБ есть результаты тестирования, а в модели на 256 ГБ в сети нет информации, в обеих моделях вы увидите одинаковое значение которое даст понимание общей производительности устройства. Но если у редакции есть информация отдельно по каждой модели то будет на каждую модель заполнены свои результаты тестов, и у модели с большим объёмом ОЗУ будут большие значения.