Сравнение AMD R7 Performance DDR4 1x8GB R748G2400U2S vs AMD R7 Performance DDR4 1x4GB R744G2400U1S
Добавить в сравнение | ![]() | |
|---|---|---|
| AMD R7 Performance DDR4 1x8GB R748G2400U2S | AMD R7 Performance DDR4 1x4GB R744G2400U1S | |
от 16 990 тг. | от 7 789 тг. | |
| Объем памяти | 1 x 8GB | 1 x 4GB |
| Форм-фактор памяти | DIMM | DIMM |
| Тип памяти | DDR4 | DDR4 |
Характеристики | ||
| Тактовая частота | 2400 МГц | 2400 МГц |
| Пропускная способность | 19200 МБ/с | 19200 МБ/с |
| Схема таймингов | 16-16-16-36 | 15-15-15-36 |
| First Word Latency | 13.33 нс | 12.5 нс |
| Рабочее напряжение | 1.2 В | 1.2 В |
| Тип охлаждения | радиатор | радиатор |
| Профиль планки | стандартный | стандартный |
| Дополнительно | серия для разгона (overclocking) поддержка XMP поддержка AMP | серия для разгона (overclocking) поддержка XMP поддержка AMP |
| Дата добавления на E-Katalog | февраль 2015 | февраль 2015 |
Сравниваем AMD R7 Performance DDR4 1x8GB и R7 Performance DDR4 1x4GB
Возможно, вас заинтересует
Мои сравнения
AMD R7 Performance DDR4 1x8GB часто сравнивают
AMD R7 Performance DDR4 1x4GB часто сравнивают
Глоссарий
Схема таймингов
Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где
CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;
Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;
Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.
Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.
Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.
CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;
Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;
Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.
Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.
Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.
First Word Latency
First Word Latency показывает, за какое время ОЗУ после запроса начинает отдавать первый блок данных. Чем ниже это значение, тем быстрее память реагирует на обращение, что особенно интересно в игровых системах и производительных ПК, где важны отзывчивость и минимальные задержки.
Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.
Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.







