Казахстан
Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Samsung DDR4 1x4Gb M378A5244CB0-CTD vs AMD R7 Performance DDR4 1x4Gb R744G2606U1S-UO

Добавить в сравнение
Samsung DDR4 1x4Gb M378A5244CB0-CTD
AMD R7 Performance DDR4 1x4Gb R744G2606U1S-UO
Samsung DDR4 1x4Gb M378A5244CB0-CTDAMD R7 Performance DDR4 1x4Gb R744G2606U1S-UO
от 8 496 тг.
Товар устарел
от 10 710 тг.
Товар устарел
Отзывы
0
0
11
Объем памяти комплекта4 ГБ4 ГБ
Кол-во планок в комплекте1 шт1 шт
Форм-фактор памятиDIMMDIMM
Тип памятиDDR4DDR4
Характеристики
Тактовая частота2666 МГц2666 МГц
Пропускная способность21300 МБ/с21300 МБ/с
CAS-латентностьCL19CL16
Схема таймингов памяти19-19-1916-18-18-35
Рабочее напряжение1.2 В1.2 В
Тип охлаждениябез охлаждениябез охлаждения
Профиль планкистандартныйстандартный
Дата добавления на E-Katalogиюль 2018апрель 2016

CAS-латентность

Под данным термином подразумевают время (точнее, количество циклов работы памяти), которое проходит от запроса процессора на чтение данных до предоставления доступа к первой из ячеек, содержащих выбранные данные. CAS-латентность является одним из таймингов (подробнее о них см п. «Схема таймингов памяти», там этот параметр обозначен как CL) — а значит, она влияет на быстродействие: чем ниже CAS, тем быстрее работает данный модуль памяти. Правда, это справедливо лишь для одной и той же тактовой частоты (подробнее см. там же).

Сейчас на рынке представлены модули памяти с такими значениями CAS-латентности: 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 24, 30, 32, 36, 38, 40, 42, 46.

Схема таймингов памяти

Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где

CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;

Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;

Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.

Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.

Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.
Samsung DDR4 1x4Gb часто сравнивают
AMD R7 Performance DDR4 1x4Gb часто сравнивают