Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Hynix DDR2 1x2GB HYMP125U64CP8-S6-C vs Samsung DDR2 1x2GB M378T5663EH3-CF7

Добавить в сравнение
Hynix DDR2 1x2GB HYMP125U64CP8-S6-C
Samsung DDR2 1x2GB M378T5663EH3-CF7
Hynix DDR2 1x2GB HYMP125U64CP8-S6-CSamsung DDR2 1x2GB M378T5663EH3-CF7
от 6 371 тг.
Товар устарел
от 10 631 тг.
Товар устарел
Объем памяти1 x 2GB1 x 2GB
Форм-фактор памятиDIMM (PC)DIMM (PC)
Тип памятиDDR2DDR2
Характеристики
Скорость800 MT/s800 MT/s
Пропускная способность6400 МБ/с6400 МБ/с
Схема таймингов6-6-6
Рабочее напряжение1.8 В1.8 В
Тип охлаждениябез охлаждениябез охлаждения
Профиль планки
стандартный
стандартный
Дата добавления на E-Katalogмарт 2011март 2011
Сравниваем Hynix HYMP125U64CP8-S6-C и Samsung M378T5663EH3-CF7 Hynix DDR2 1x2GB и Samsung DDR2 1x2GB?
Hynix DDR2 1x2GB часто сравнивают
Глоссарий

Схема таймингов

Набор чисел в характеристиках оперативной памяти, который показывает задержки при выполнении основных операций модуля. Обычно она записывается в виде 16-18-18-38 или 36-38-38-80, где по порядку указываются основные тайминги памяти (CL, tRCD, tRP и tRAS), отвечающие за отклик и внутренние задержки модуля. Простыми словами, это не скорость памяти как таковая, а то, насколько быстро она откликается на команды внутри своей работы.

На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.

Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.