Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение HyperX Fury DDR3 1x4GB HX318C10FB/4 vs Corsair Vengeance DDR3 2x4GB CMZ8GX3M2A1866C9

Добавить в сравнение
HyperX Fury DDR3 1x4GB HX318C10FB/4
Corsair Vengeance DDR3 2x4GB CMZ8GX3M2A1866C9
HyperX Fury DDR3 1x4GB HX318C10FB/4Corsair Vengeance DDR3 2x4GB CMZ8GX3M2A1866C9
от 5 096 тг.
Товар устарел
от 34 140 тг.
Товар устарел
Объем памяти1 x 4GB2 x 4GB
Форм-фактор памятиDIMMDIMM
Тип памятиDDR3DDR3
Характеристики
Тактовая частота1866 МГц1866 МГц
Пропускная способность14900 МБ/с15000 МБ/с
Схема таймингов10-11-10-309-10-9-27
First Word Latency10.72 нс9.65 нс
Рабочее напряжение1.5 В1.5 В
Тип охлаждениярадиаторрадиатор
Профиль планкистандартныйстандартный
Высота планки32.8 мм
Дополнительно
серия для разгона (overclocking)
серия для разгона (overclocking)
Цвет корпуса
Дата добавления на E-Katalogмай 2014март 2011
Сравниваем HyperX HX318C10FB/4 и Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 HyperX Fury DDR3 1x4GB и Corsair Vengeance DDR3 2x4GB?
HyperX Fury DDR3 1x4GB часто сравнивают
Глоссарий

Пропускная способность

Количество информации, которую модуль памяти может принять или передать за одну секунду. От пропускной способности напрямую зависит скорость работы памяти и, соответственно, цена на неё. В то же время это довольно специфический параметр, актуальный в основном для высокопроизводительных систем — геймерских и рабочих станций, серверов и т. п. Если же модуль RAM покупается для обычной домашней или офисной системы, на пропускную способность можно не обращать особого внимания.

Схема таймингов

Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где

CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;

Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;

Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.

Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.

Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.

First Word Latency

First Word Latency показывает, за какое время ОЗУ после запроса начинает отдавать первый блок данных. Чем ниже это значение, тем быстрее память реагирует на обращение, что особенно интересно в игровых системах и производительных ПК, где важны отзывчивость и минимальные задержки.

Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.