Сравнение HyperX Predator DDR4 2x4GB HX430C15PB3K2/8 vs Patriot Memory Viper 4 DDR4 2x4GB PV48G300C6K
Добавить в сравнение | ![]() | ![]() |
|---|---|---|
| HyperX Predator DDR4 2x4GB HX430C15PB3K2/8 | Patriot Memory Viper 4 DDR4 2x4GB PV48G300C6K | |
от 54 105 тг. | от 13 936 тг. | |
| Объем памяти | 2 x 4GB | 2 x 4GB |
| Форм-фактор памяти | DIMM | DIMM |
| Тип памяти | DDR4 | DDR4 |
| Ранг памяти | одноранговая | одноранговая |
Характеристики | ||
| Тактовая частота | 3000 МГц | 3000 МГц |
| Пропускная способность | 24000 МБ/с | 24000 МБ/с |
| Схема таймингов | 15-17-17 | 16-16-16-36 |
| First Word Latency | 10 нс | 10.67 нс |
| Рабочее напряжение | 1.35 В | 1.35 В |
| Тип охлаждения | радиатор | радиатор |
| Профиль планки | стандартный | стандартный |
| Высота планки | 42.2 мм | 41 мм |
| Дополнительно | серия для разгона (overclocking) поддержка XMP | серия для разгона (overclocking) поддержка XMP |
| Цвет корпуса | ||
| Дата добавления на E-Katalog | сентябрь 2016 | февраль 2016 |
Сравниваем HyperX HX430C15PB3K2/8 и Patriot Memory PV48G300C6K HyperX Predator DDR4 2x4GB и Patriot Memory Viper 4 DDR4 2x4GB?
Возможно, вас заинтересует
HyperX Predator DDR4 2x4GB часто сравнивают
Patriot Memory Viper 4 DDR4 2x4GB часто сравнивают
Глоссарий
Схема таймингов
Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где
CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;
Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;
Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.
Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.
Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.
CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;
Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;
Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.
Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.
Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.
First Word Latency
First Word Latency показывает, за какое время ОЗУ после запроса начинает отдавать первый блок данных. Чем ниже это значение, тем быстрее память реагирует на обращение, что особенно интересно в игровых системах и производительных ПК, где важны отзывчивость и минимальные задержки.
Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.
Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.









