Сравнение Patriot Memory Viper Elite 5 Non-RGB DDR5 2x16GB VEB532G5636KW vs GOODRAM IRDM DDR5 2x16GB IR-5600D564L30S/32GDC
Добавить в сравнение | ![]() | |
|---|---|---|
| Patriot Memory Viper Elite 5 Non-RGB DDR5 2x16GB VEB532G5636KW | GOODRAM IRDM DDR5 2x16GB IR-5600D564L30S/32GDC | |
| Товар устарел | Товар устарел | |
| Объем памяти | 2 х 16GB | 2 х 16GB |
| Форм-фактор памяти | DIMM (PC) | DIMM (PC) |
| Тип памяти | DDR5 | DDR5 |
Характеристики | ||
| Скорость | 5600 MT/s | 5600 MT/s |
| Пропускная способность | 44800 МБ/с | 44800 МБ/с |
| Схема таймингов | 36-36-36-68 | 30-36-36-76 |
| First Word Latency | 12.86 нс | 10.71 нс |
| Рабочее напряжение | 1.25 В | 1.25 В |
| Тип охлаждения | радиатор | радиатор |
| Профиль планки | стандартный 44 мм | стандартный 31.25 мм |
| Дополнительно | поддержка XMP поддержка EXPO | поддержка XMP поддержка EXPO |
| Цвет корпуса | ||
| Дата добавления на E-Katalog | январь 2025 | октябрь 2023 |
Сравниваем Patriot Memory VEB532G5636KW и GOODRAM IR-5600D564L30S/32GDC Patriot Memory Viper Elite 5 Non-RGB DDR5 2x16GB и GOODRAM IRDM DDR5 2x16GB?
Возможно, вас заинтересует
Мои сравнения
Patriot Memory Viper Elite 5 Non-RGB DDR5 2x16GB часто сравнивают
GOODRAM IRDM DDR5 2x16GB часто сравнивают
Глоссарий
Схема таймингов
Набор чисел в характеристиках оперативной памяти, который показывает задержки при выполнении основных операций модуля. Обычно она записывается в виде 16-18-18-38 или 36-38-38-80, где по порядку указываются основные тайминги памяти (CL, tRCD, tRP и tRAS), отвечающие за отклик и внутренние задержки модуля. Простыми словами, это не скорость памяти как таковая, а то, насколько быстро она откликается на команды внутри своей работы.
На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.
Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.
На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.
Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.
First Word Latency
First Word Latency показывает, за какое время ОЗУ после запроса начинает отдавать первый блок данных. Чем ниже это значение, тем быстрее память реагирует на обращение, что особенно интересно в игровых системах и производительных ПК, где важны отзывчивость и минимальные задержки.
Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.
Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.


