Сравнение Patriot Memory Viper Xtreme 5 RGB 2x16Gb PVXR532G76C36K vs G.Skill Trident Z5 RGB DDR5 2x16Gb F5-7600J3646G16GX2-TZ5RS
Добавить в сравнение | ![]() | ![]() |
|---|---|---|
| Patriot Memory Viper Xtreme 5 RGB 2x16Gb PVXR532G76C36K | G.Skill Trident Z5 RGB DDR5 2x16Gb F5-7600J3646G16GX2-TZ5RS | |
от 93 140 тг. | от 110 187 тг. | |
| Объем памяти комплекта | 32 ГБ | 32 ГБ |
| Кол-во планок в комплекте | 2 шт | 2 шт |
| Форм-фактор памяти | DIMM | DIMM |
| Тип памяти | DDR5 | DDR5 |
Характеристики | ||
| Тактовая частота | 7600 МГц | 7600 МГц |
| Пропускная способность | 60800 МБ/с | 60800 МБ/с |
| CAS-латентность | CL36 | CL36 |
| Схема таймингов памяти | 36-48-48-84 | 36-46-46-121 |
| Рабочее напряжение | 1.45 В | 1.4 В |
| Тип охлаждения | радиатор | радиатор |
| Профиль планки | стандартный | стандартный |
| Высота планки | 44 мм | |
| Дополнительно | серия для разгона (overclocking) поддержка XMP | серия для разгона (overclocking) поддержка XMP |
| Подсветка | multi compatibility | multi compatibility |
| Цвет корпуса | ||
| Дата добавления на E-Katalog | сентябрь 2023 | декабрь 2022 |
Сравниваем Patriot Memory PVXR532G76C36K и G.Skill F5-7600J3646G16GX2-TZ5RS Patriot Memory Viper Xtreme 5 RGB 2x16Gb и G.Skill Trident Z5 RGB DDR5 2x16Gb?
Возможно, вас заинтересует
Мои сравнения
Глоссарий
Схема таймингов памяти
Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где
CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;
Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;
Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.
Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.
Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.
CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;
Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;
Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.
Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.
Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.
Рабочее напряжение
Штатное электрическое напряжение, необходимое для работы модулю памяти. При выборе памяти необходимо обратить внимание на то, чтобы соответствующее напряжение поддерживалось материнской платой.

