Сравнение GOODRAM IRDM PRO DDR4 DEEP 2x16Gb IRP-K3600D4V64L18/32GDC vs Corsair Vengeance LPX DDR4 2x16Gb CMK32GX4M2Z3600C18
Добавить в сравнение | ![]() | |
|---|---|---|
| GOODRAM IRDM PRO DDR4 DEEP 2x16Gb IRP-K3600D4V64L18/32GDC | Corsair Vengeance LPX DDR4 2x16Gb CMK32GX4M2Z3600C18 | |
| Товар устарел | от 47 990 тг. | |
| Объем памяти комплекта | 32 ГБ | 32 ГБ |
| Кол-во планок в комплекте | 2 шт | 2 шт |
| Форм-фактор памяти | DIMM | DIMM |
| Тип памяти | DDR4 | DDR4 |
Характеристики | ||
| Тактовая частота | 3600 МГц | 3600 МГц |
| Пропускная способность | 28800 МБ/с | 28800 МБ/с |
| CAS-латентность | CL18 | CL18 |
| Схема таймингов | 18-22-22 | 18-22-22-42 |
| First Word Latency | 10 нс | 10 нс |
| Рабочее напряжение | 1.35 В | 1.35 В |
| Тип охлаждения | радиатор | радиатор |
| Профиль планки | стандартный | стандартный |
| Высота планки | 33 мм | |
| Дополнительно | серия для разгона (overclocking) поддержка XMP | серия для разгона (overclocking) поддержка XMP |
| Цвет корпуса | ||
| Дата добавления на E-Katalog | май 2021 | январь 2021 |
Сравниваем GOODRAM IRP-K3600D4V64L18/32GDC и Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 GOODRAM IRDM PRO DDR4 DEEP 2x16Gb и Corsair Vengeance LPX DDR4 2x16Gb?
Возможно, вас заинтересует
Мои сравнения
GOODRAM IRDM PRO DDR4 DEEP 2x16Gb часто сравнивают
Глоссарий
Схема таймингов
Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где
CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;
Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;
Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.
Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.
Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.
CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;
Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;
Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.
Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.
Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.


