Сравнение Samsung DDR4 SO-DIMM M471A1K43CB1-CRC vs GOODRAM DDR4 SO-DIMM 1x8GB GR2400S464L17S/8G
Добавить в сравнение |  |  |
|---|---|---|
| Samsung DDR4 SO-DIMM M471A1K43CB1-CRC | GOODRAM DDR4 SO-DIMM 1x8GB GR2400S464L17S/8G | |
от 9 590 тг. | от 16 305 тг. | |
| Объем памяти | 1 x 8GB | 1 x 8GB |
| Форм-фактор памяти | SO-DIMM (laptops) | SO-DIMM (laptops) |
| Тип памяти | DDR4 | DDR4 |
Характеристики | ||
| Скорость | 2400 MT/s | 2400 MT/s |
| Пропускная способность | 19200 МБ/с | 19200 МБ/с |
| Схема таймингов | 17-17-17 | |
| First Word Latency | 14.17 нс | 14.17 нс |
| Рабочее напряжение | 1.2 В | 1.2 В |
| Тип охлаждения | без охлаждения | без охлаждения |
| Профиль планки | стандартный | стандартный |
| Дата добавления на E-Katalog | май 2018 | май 2018 |
Сравниваем Samsung M471A1K43CB1-CRC и GOODRAM GR2400S464L17S/8G Samsung DDR4 SO-DIMM и GOODRAM DDR4 SO-DIMM 1x8GB?
Возможно, вас заинтересует
Samsung DDR4 SO-DIMM часто сравнивают
Глоссарий
Схема таймингов
Набор чисел в характеристиках оперативной памяти, который показывает задержки при выполнении основных операций модуля. Обычно она записывается в виде 16-18-18-38 или 36-38-38-80, где по порядку указываются основные тайминги памяти (CL, tRCD, tRP и tRAS), отвечающие за отклик и внутренние задержки модуля. Простыми словами, это не скорость памяти как таковая, а то, насколько быстро она откликается на команды внутри своей работы.
На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.
Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.
На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.
Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.