Сравнение CUBOT King Kong ES 128 ГБ vs HMD Pulse Pro 256 ГБ

Максимальная яркость в нитах, обеспечиваемая экраном смартфона.

Чем ярче дисплей, тем более читабельной остаётся на нём картинка под интенсивным внешним освещением (к примеру, на улице в ясную солнечную погоду). Также высокая яркость важна для корректного отображения HDR-контента. Однако большой запас по данному показателю сказывается на стоимости и энергопотреблении экрана. Производители могут указывать стандартное, максимальное и пиковое значение яркости. При этом между максимальной и пиковой яркостью нельзя поставить знак равенства. Первая обозначает способность экрана выдавать указанную яркость по всей его площади, в то время как пиковая — на ограниченном участке и непродолжительное время (в основном для HDR-контента).

Соотношение между площадью экрана и общей площадью передней панели телефона. Проще говоря, данная характеристика описывает, какая часть передней панели занята экраном; остальное приходится на рамку.

Данный показатель приводится исключительно для смартфонов с сенсорными экранами — именно для них он наиболее актуален. Чем больший процент корпуса занимает экран — тем тоньше рамка, тем аккуратнее выглядит смартфон и тем удобнее работать с ним одной рукой. Что касается конкретных цифр, то средними значениями являются 80 – 85 %, значения выше позволяют говорить о тонкой рамке, а более 9 0% — о «безрамочной» конструкции.

Отдельно отметим, что данный параметр никак не связан с соотношением сторон экрана. Соотношение сторон описывает только сам дисплей — а именно его пропорции, соотношение между большей и меньшей стороной прямоугольника.

Наличие в аппарате «чистой» операционной системы Android.

ОС Android имеет открытый исходный код, позволяющий разработчикам создавать различные модификации этой ОС — в том числе фирменные сборки и программные оболочки. Такие модификации могут быть довольно продвинутыми, однако они нередко изменяют или даже ограничивают функциональность оригинального Android, а обновления таких прошивок сильно зависят от их создателей и нередко отстают от обновлений оригинальной ОС. В свете этого некоторые пользователи предпочитают использовать «чистый» Android, без дополнительных надстроек; на них и рассчитаны подобные устройства.

Параметр определяет общее быстродействие смартфона: чем больше объем ОЗУ — тем быстрее работает устройство и тем лучше оно справляется с обилием задач и/или ресурсоемкими приложениями (при прочих равных). Это еще более верно в свете того, что большие объемы «оперативки» обычно сочетаются с мощными продвинутыми процессорами. Однако напрямую сравнивать между собой можно только аппараты с идентичными операционными системами, а в случае Android — с одинаковыми версиями и редакциями этой ОС (подробнее обо всем этом см. «Операционная система»). Связано это с тем, что разные ОС и даже разные версии одной ОС могут заметно различаться по требованиям к объему RAM. К примеру, iOS, благодаря неплохой оптимизации под конкретные устройства, способна эффективно работать с 3 ГБ оперативной памяти. Для современных версий Android в обычной редакции (не Go Edition) упомянутые 3 ГБ фактически являются необходимым минимумом. Под такую ОС лучше иметь хотя бы 4 ГБ или 6 ГБ RAM. В высококлассных аппаратах с мощной электронной «начинкой» можно встретить и более впечатляющие цифры — 8 ГБ или даже 12 ГБ и более.

Тип оперативной памяти (ОЗУ, RAM), установленной в смартфоне.

Все современные аппараты используют «оперативку» формата LPDDR (LPDDR4, LPDDR4x, LPDDR5, LPDDR5x, LPDDR5T). От обычной компьютерной RAM, помимо миниатюрных размеров, она отличается поддержкой особых форматов передачи данных (16- и 32-битных шин памяти). А вот версии такой памяти могут быть разными:

— LPDDR3. Наиболее раннее поколение LPDDR из актуальных — представлено в 2012 году, реализовывается в устройствах с 2013 года. Стандартно работает на скоростях до 1600 MT/s (мегатранзакций в секунду) и частоте до 933 МГц; «улучшенная» (enhanced) версия поддерживает скорости до 2133 MT/s. В наше время этот стандарт встречается редко, в основном среди устаревших мобильных устройств.

— LPDDR4. Наследник LPDDR3, официально представленный в августе 2014 года (хотя первые разработки «в железе» были выпущены еще в конце 2013). Скорость работы, по сравнению с предшественником, увеличилась вдвое — до 3200 MT/s; частота выросла до 1600 МГц; а энергопотребление при этом снизилось на 40 %. Кроме того, поменялся формат передачи данных — в частности, вместо одной 32-битной шины используется две 16-битных, также в стандарт были внедрены некоторые улучшения безопасности. Эту память можно встретить в некоторых смартфонах медиум-звена. —...LPDDR4x. Усовершенствованная версия LPDDR4 со сниженным энергопотреблением — стандарт использует напряжение 0.6 В вместо 1.1 В. Кроме того, в этом типе RAM были реализованы некоторые улучшения, направленные на увеличение скорости (она достигает 4266 MT/s) и общую оптимизацию работы — к примеру, появился одноканальный режим для нетребовательных приложений. Благодаря подобным характеристикам данная версия памяти получила заметно большее распространение, нежели оригинальная LPDDR4. Встретить ее можно в устройствах среднего и топового уровня.

— LPDDR5. Дальнейшее развитие «мобильной» оперативной памяти, официально анонсированное в начале 2019 года. Скорость работы в этой версии увеличена до 6400 MT/s, для улучшения стойкости к помехам и ошибкам был внедрен дифференциальный формат сигнала, а для снижения энергопотребления — динамическое управление частотой и напряжением. Использование таких модулей памяти характерно преимущественно для высококлассных смартфонов.

— LPDDR5x. Более энергоэффективная и быстрая версия оперативной памяти LPDDR5. Скорость передачи данных в ней нарастили до 8533 MT/s, а показатель пиковой пропускной способности — до 8.5 Гбит/с. Количество банков памяти на канал в LPDDR5x всегда равно 16. Оперативная память этого стандарта характерна для продвинутых смартфонов самого высокого сорта.

— LPDDR5T. T — значит «турбо». Скорость работы «оперативки» стандарта LPDDR5T нарастили до 9600 MT/s, а устройства с такими модулями памяти примерно на 13 % быстрее сравнительно с LPDDR5X. Работает память в диапазоне низких напряжений от 1.01 до 1.12 В. Соответствующие модули нацелены на использование в топовых мобильных устройствах.

Количество встроенной памяти, установленной в телефоне; иными словами — объем собственного, несъемного накопителя аппарата.

От этого объема напрямую зависит, сколько данных можно хранить на телефоне, не пользуясь съемными картами памяти. Данный показатель особенно важен для моделей, не имеющих слотов для карт. Впрочем, даже если сменные накопители поддерживаются — встроенная память все равно бывает предпочтительнее: она как минимум работает быстрее, к тому же обычно имеет меньше ограничений по применению (в частности, большинство смартфонов позволяют ставить приложения только на несъемный накопитель).

Что касается конкретных объемов, то фактическим минимумом для современного смартфона является 32 ГБ; менее «вместительные» аппараты в наше время встречаются все реже. 64 ГБ считается комфортным минимумом, 128 ГБ — средним показателем, 256 ГБ — выше среднего. Отдельные высококлассные устройства оборудованы накопителями на 512 ГБ и даже на 1 ТБ.

Отметим также, что фактическое количество памяти, доступной пользователю, неизбежно будет несколько меньше общего, так как часть накопителя занимают файлы операционной системы.

От спецификации зависит в первую очередь скорость работы памяти, и, соответственно, быстродействие аппарата в целом (особенно при работе с большими объемами данных или ресурсоемкими приложениями). В наше время встречается две базовых спецификации — eMMC (embedded Multimedia Memory Card) и UFS (Universal Flash Storage); каждая из них имеет несколько версий. В целом наиболее быстрыми и продвинутыми на сегодня являются накопители с UFS 3.1, UFS 4.0 и UFS 4.1, однако они и стоят соответственно, а потому применяются в основном в смартфонах премиум-класса. А более детальное описание этих стандартов выглядит так:

— eMMC. Один из наиболее простых и доступных стандартов твердотельной памяти — к примеру, именно эту спецификацию использует большинство флешек. В смартфонах и других портативных гаджетах этот стандарт был общепринятым до 2016 года, когда началось внедрение UFS; однако и сейчас он встречается нередко — в основном благодаря невысокой стоимости и низкому энергопотреблению. Скорости у eMMC заметно ниже, чем у UFS. Так, в актуальной версии eMMC 5.1A (2019 год) скорость чтения составляет до 400 МБ/с, а более ранняя и распространенная версия eMMC 5.1 предусматривает до 250 МБ/с в режиме чтения, до 125 МБ/с в режиме последовательной записи и всего лишь до 7.16 МБ/с при случайной записи (проще говоря, в режиме работы с приложениями).

— UFS.... Стандарт твердотельных накопителей, созданный как более быстрый и совершенный наследник eMMC. Помимо увеличенных скоростей обмена данными, в UFS был изменен еще и формат работы — он полностью дуплексный, то есть чтение и запись могут осуществляться одновременно (тогда как в eMMC эти процессы выполнялись по очереди). Также была значительно повышена эффективность в режиме случайного чтения и записи, что положительно сказалось на качестве работы с приложениями. Конкретные же скорости обмена данными и особенности работы зависят от версии UFS, в наше время на рынке можно встретить такие варианты:

• 2.0. Наиболее ранняя из версий, встречающихся в современных смартфонах; была выпущена еще в 2013 году. Обеспечивает скорость передачи данных до 600 МБ/с на одну линию и до 1,2 ГБ/с на две линии, максимально доступные в этой версии. Те же показатели имеет более новая версия 2.1, однако она дополнена рядом важных нововведений. Поэтому память UFS 2.0 в мобильных телефонах используется очень редко.
• 2.1. Первая из версий, получивших широкое распространение в смартфонах; была выпущена в 2016 году. По показателям скорости не отличается от описанной выше версии 2.0, а основные отличия заключаются в некоторых усовершенствованиях. В частности, в UFS 2.1 были внедрены индикатор состояния («здоровья») накопителя, возможность удаленного обновления прошивки, а также ряд решений, направленных на повышение общей надежности.
• 2.2. Развитие стандарта UFS 2.x, представленное летом 2020 года. Ключевым улучшением является внедрение функции WriteBooster (изначально появившейся в UFS 3.1); эта функция позволяет значительно увеличить скорость записи и, соответственно, общую производительность в задачах вроде запуска приложений.
• 3.0. Версия, выпущенная в 2018 и реализованная «в железе» годом позже. Пропускная способность была увеличена до 2,9 ГБ/с на две линии (1,45 ГБ/с на одну), были внедрены новые версии электронного протокола M-PHY (физический уровень) и основанного на нем UniPro, повышена надежность работы с данными и расширен температурный режим работы контроллеров (в теории он может составлять от -40 °С до 105 °С).
• 3.1. Наследник стандарта UFS 3.0, официально представленный в начале 2020 года. Позиционируется как спецификация, созданная специально для мобильных устройств высокой производительности и направленная на увеличение скорости работы при максимальном снижении энергопотребления. Для этого в UFS 3.1 реализован ряд нововведений: энергонезависимый кэш Write Booster для ускорения записи; специальный режим энергосбережения DeepSleep для относительно простых и недорогих систем; а также функция Performance Throttling Notification, позволяющая накопителю подавать на управляющую систему сигналы о перегреве. Кроме того, в данном стандарте может дополнительно предусматриваться поддержка расширения HPB, повышающего скорость чтения.
• 4.0. В версии UFS 4.0 вдвое увеличили пропускную способность на полосу (23.2 Гбит/с на линию) и примерно на 46 % улучшили показатели энергоэффективности (сравнительно с предшествующей спецификацией 3.1). Модули памяти стандарта UFS 4.0 обеспечивают максимальную скорость чтения до 4200 МБ/с, записи — до 2800 МБ/с. Высокая пропускная способность делает стандарт памяти идеально подходящим для 5G-смартфонов.
• 4.1. Эту версию выпустили в 2024 году и тут же реализовали «в железе» (еще до появления официальных спецификаций). В памяти данной ревизии на порядок выросла скорость установки приложений (практически вдвое по сравнению с UFS 4.0), а скорость копирования файлов удалось нарастить на добрую треть. Ревизия 4.1 разработана с упором на развитую функциональность искусственного интеллекта в мобильных устройствах.

Наибольший объём карты памяти, с которой телефон способен корректно работать. Подробнее о самих картах см. «Слот для карт памяти»; здесь же отметим, что вместительные носители часто используют продвинутые технологии, которые поддерживаются не всеми аппаратами, а иногда у телефонов просто не хватает мощности на обработку больших массивов данных. Поэтому для удобства выбора в нашем каталоге и указывается максимальный поддерживаемый объём.

На практике бывают случаи, когда некоторые аппараты могут превышать заявленные характеристики. Однако ориентироваться стоит именно на официальные данные, т.к. при их превышении нормальная работа с картой не гарантирована.

Результаты тестов указываются или младшей модели в линейке или конкретной модели, сделано это для большего понимания производительности моделей телефонов если вы сравниваете телефоны по этим параметрам. Например в модели 128 ГБ есть результаты тестирования, а в модели на 256 ГБ в сети нет информации, в обеих моделях вы увидите одинаковое значение которое даст понимание общей производительности устройства. Но если у редакции есть информация отдельно по каждой модели то будет на каждую модель заполнены свои результаты тестов, и у модели с большим объёмом ОЗУ будут большие значения.