Казахстан
Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Hynix SO-DIMM DDR3 1x8Gb HMT41GS6AFR8A-PBN0 vs Hynix SO-DIMM DDR3 1x4Gb HMT451S6BFR8A-PB

Добавить в сравнение
Hynix SO-DIMM DDR3 1x8Gb HMT41GS6AFR8A-PBN0
Hynix SO-DIMM DDR3 1x4Gb HMT451S6BFR8A-PB
Hynix SO-DIMM DDR3 1x8Gb HMT41GS6AFR8A-PBN0Hynix SO-DIMM DDR3 1x4Gb HMT451S6BFR8A-PB
от 12 375 тг.
Товар устарел
от 17 187 тг.
Ожидается в продаже
Объем памяти комплекта8 ГБ4 ГБ
Кол-во планок в комплекте1 шт1 шт
Форм-фактор памятиSO-DIMMSO-DIMM
Тип памятиDDR3DDR3
Характеристики
Тактовая частота1600 МГц1600 МГц
Пропускная способность12800 МБ/с12800 МБ/с
CAS-латентностьCL11CL11
Схема таймингов памяти11-11-11
Рабочее напряжение1.35 В1.35 В
Тип охлаждениябез охлаждениябез охлаждения
Профиль планкистандартныйстандартный
Дата добавления на E-Katalogапрель 2016июль 2014

Объем памяти комплекта

Общий объем всех модулей комплекта оперативной памяти.

Зная этот параметр и количество планок в комплекте, можно оценить объем одной планки. Эта информация может пригодиться для оценки совместимости с конкретным ПК: любая материнская плата имеет ограничение на максимальный объем каждой отдельной планки.

Сейчас на рынке представлены комплекты с таким объем памяти: 4 ГБ, 8 ГБ, 16 ГБ, 24 ГБ, 32 ГБ, 64 ГБ и даже 128 ГБ. Сочетание нескольких планок позволяет продавать наборы 8 ГБ (2 планки по 4 ГБ), 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ), 16 ГБ (4 планки по 4 ГБ), 32 ГБ (2 планки по 16 ГБ), 32 ГБ (4 планки по 8 ГБ), 48 ГБ (2 планки по 24 ГБ). Комплекты на 64 ГБ представлены такими наборами: 64 ГБ (2 планки по 32 ГБ), 64 ГБ (4 планки по 16 ГБ) и 64 ГБ (8 планок по 8 ГБ). ОЗУ на 128 ГБ преимущественно состоят из 4 планок по 32 ГБ или 8 планок по 16 ГБ. А 256 ГБ и 96 ГБ (2 планки по 48 ГБ) являются не столь востребованными

Схема таймингов памяти

Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где

CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;

Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;

Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.

Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.

Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.