Сравнение Hynix SO-DIMM DDR3 1x8GB HMT41GS6AFR8A-PBN0 vs Hynix SO-DIMM DDR3 1x4GB HMT451S6BFR8A-PB
Добавить в сравнение | ![]() | ![]() |
|---|---|---|
| Hynix SO-DIMM DDR3 1x8GB HMT41GS6AFR8A-PBN0 | Hynix SO-DIMM DDR3 1x4GB HMT451S6BFR8A-PB | |
от 12 375 тг. | от 17 846 тг. | |
| Объем памяти | 1 x 8GB | 1 x 4GB |
| Форм-фактор памяти | SO-DIMM | SO-DIMM |
| Тип памяти | DDR3 | DDR3 |
Характеристики | ||
| Тактовая частота | 1600 МГц | 1600 МГц |
| Пропускная способность | 12800 МБ/с | 12800 МБ/с |
| Схема таймингов | 11-11-11 | |
| First Word Latency | 13.75 нс | 13.75 нс |
| Рабочее напряжение | 1.35 В | 1.35 В |
| Тип охлаждения | без охлаждения | без охлаждения |
| Профиль планки | стандартный | стандартный |
| Дата добавления на E-Katalog | апрель 2016 | июль 2014 |
Сравниваем Hynix SO-DIMM DDR3 1x8GB и SO-DIMM DDR3 1x4GB
Возможно, вас заинтересует
Мои сравнения
Глоссарий
Схема таймингов
Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где
CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;
Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;
Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.
Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.
Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.
CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;
Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;
Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.
Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.
Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.

