Казахстан
Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Samsung DDR3 1x4Gb M378B5173EB0-CK0 vs GOODRAM DDR3 1x4Gb GR1600D364L11S/4G

Добавить в сравнение
Samsung DDR3 1x4Gb M378B5173EB0-CK0
GOODRAM DDR3 1x4Gb GR1600D364L11S/4G
Samsung DDR3 1x4Gb M378B5173EB0-CK0GOODRAM DDR3 1x4Gb GR1600D364L11S/4G
от 4 522 тг.
Ожидается в продаже
от 9 004 тг.
Товар устарел
Отзывы
0
0
126
0
0
11
Объем памяти комплекта4 ГБ4 ГБ
Кол-во планок в комплекте1 шт1 шт
Форм-фактор памятиDIMMDIMM
Тип памятиDDR3DDR3
Характеристики
Тактовая частота1600 МГц1600 МГц
Пропускная способность12800 МБ/с12800 МБ/с
CAS-латентностьCL11CL11
Схема таймингов памяти11-11-1111-11-11-28
Рабочее напряжение1.5 В1.5 В
Тип охлаждениябез охлаждениябез охлаждения
Профиль планкистандартныйстандартный
Дата добавления на E-Katalogмай 2015февраль 2014

Схема таймингов памяти

Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где

CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;

Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;

Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.

Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.

Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз...ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.
Samsung DDR3 1x4Gb часто сравнивают
GOODRAM DDR3 1x4Gb часто сравнивают