Каталог   /   Компьютерная техника   /   Комплектующие   /   Оперативная память

Сравнение Kingston Fury Impact DDR4 1x16GB KF426S15IB1/16 vs Kingston ValueRAM SO-DIMM DDR4 1x16GB KVR26S19D8/16

Добавить в сравнение
Kingston Fury Impact DDR4 1x16GB KF426S15IB1/16
Kingston ValueRAM SO-DIMM DDR4 1x16GB KVR26S19D8/16
Kingston Fury Impact DDR4 1x16GB KF426S15IB1/16Kingston ValueRAM SO-DIMM DDR4 1x16GB KVR26S19D8/16
от 10 192 тг.
Товар устарел
от 11 473 тг.
Товар устарел
Объем памяти1 x 16GB1 x 16GB
Форм-фактор памятиSO-DIMM (laptops)SO-DIMM (laptops)
Тип памятиDDR4DDR4
Ранг памятидвухранговаядвухранговая
Характеристики
Скорость2666 MT/s2666 MT/s
Пропускная способность21300 МБ/с21300 МБ/с
Схема таймингов15-17-1719-19-19
First Word Latency11.25 нс14.25 нс
Рабочее напряжение1.2 В1.2 В
Тип охлаждениябез охлаждениябез охлаждения
Профиль планки
стандартный
стандартный
Дополнительно
поддержка XMP
 
Дата добавления на E-Katalogавгуст 2021июль 2018
Сравниваем Kingston Fury KF426S15IB1/16 и Kingston KVR26S19D8/16 Kingston Fury Impact DDR4 1x16GB и Kingston ValueRAM SO-DIMM DDR4 1x16GB?
Kingston ValueRAM SO-DIMM DDR4 1x16GB часто сравнивают
Глоссарий

Схема таймингов

Набор чисел в характеристиках оперативной памяти, который показывает задержки при выполнении основных операций модуля. Обычно она записывается в виде 16-18-18-38 или 36-38-38-80, где по порядку указываются основные тайминги памяти (CL, tRCD, tRP и tRAS), отвечающие за отклик и внутренние задержки модуля. Простыми словами, это не скорость памяти как таковая, а то, насколько быстро она откликается на команды внутри своей работы.

На практике схема таймингов особенно уместна, когда выбирают между двумя близкими по классу планками. Например, если обе памяти DDR5-6000, то вариант с более низкими таймингами обычно считается более “быстрым” по отклику.

Сравнивать тайминги на ОЗУ с разной частотой не коректно. Для этого предусмотрен отдельный параметр First Word Latency, который учитывает и тайминги, и частоту, позволяя более точно сравнить скоростные возможности памяти.

First Word Latency

First Word Latency показывает, за какое время ОЗУ после запроса начинает отдавать первый блок данных. Чем ниже это значение, тем быстрее память реагирует на обращение, что особенно интересно в игровых системах и производительных ПК, где важны отзывчивость и минимальные задержки.

Для памяти это более наглядный показатель задержки, чем просто CAS Latency, потому что он учитывает не только тайминги, но и рабочую частоту. Именно поэтому два комплекта ОЗУ с разным значением CL могут в реальности иметь очень близкую скорость отклика: например, DDR4-3200 CL16 и DDR5-6000 CL30 дают примерно по 10 нс First Word Latency.

Дополнительно

Поддержка XMP. Готовый профиль настроек Intel Extreme Memory Profile, который позволяет проще запустить модуль на более высокой частоте и с нужными таймингами через BIOS. Это удобно тем, что пользователю не нужно вручную выставлять параметры по отдельности: достаточно выбрать профиль, если его поддерживают материнская плата и сама память. На практике XMP особенно полезен в игровых и домашних ПК на базе Intel, где ОЗУ без включения профиля часто работает медленнее, чем заявлено.

Поддержка EXPO. Наличие фирменного профиля разгона памяти для современных платформ AMD AM5, который помогает включить более быстрый режим работы буквально в несколько действий. Чаще всего этот пункт интересен тем, кто собирает новый ПК на Ryzen и хочет, чтобы DDR5-память сразу работала ближе к своим паспортным возможностям.

Тактовый драйвер (CKD). Дополнительный компонент на модуле памяти, который помогает точнее передавать и восстанавливать тактовый сигнал при высоких скоростях DDR5. Его задача не в том, чтобы «разгонять» память, а в том, чтобы уменьшать помехи и джиттер, повышая стабильность работы модуля. Такая особенность особенно актуальна для новых модулей DDR5-6400 и выше, где требования к качеству сигнала уже заметно строже.

Поддержка буферизации (Registered). Дополнительный регистр для снижения нагрузки на контроллер па...мяти. Такая особенность важна прежде всего для серверов и рабочих станций, где она помогает стабильнее работать с большим количеством модулей и большим общим объемом ОЗУ.
При выборе памяти стоит учитывать, что в одной системе может использоваться либо только буферизованная, либо только небуферизованная память; совместить эти два типа памяти невозможно.

Поддержка ECC. Функция памяти с коррекцией ошибок, которая помогает повысить надежность работы системы и снизить риск сбоев из-за повреждения данных в ОЗУ. Такой вариант встречается преимущественно в серверах и рабочих станциях, где важна стабильность при долгой непрерывной работе. Здесь важно понимать, что одна только память с ECC еще не гарантирует поддержку функции — она должна поддерживаться и самой платформой (материнской платой).